肖特基二极管及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210174594.9
IPC分类号：H01L29/423;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329
申请日期：
2012-05-30
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	肖特基二极管及其制造方法
申请号	CN201210174594.9	申请日期	2012-05-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-18	公开/公告号	CN103456773A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/423 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/41 以其形状、相对尺寸或位置为特征的〔6〕 H01L29/423 不通有待整流、放大或切换电流的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	蒲贤勇;程勇;杨广立;马千成
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

一种肖特基二极管及其制造方法，所述肖特基二极管包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的多个沟槽结构，用于将半导体衬底分隔为阳极区和阴极区；位于阳极区半导体衬底上、围绕所述阳极区的栅极结构环，所述栅极结构环沿环向的每一位置处均与所述阳极区半导体衬底有接触区域；位于栅极结构环露出的阳极区半导体衬底上、栅极结构环上、沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上的金属层，其中，所述栅极结构环露出的阳极区半导体衬底和栅极结构环上的金属层电连接在一起，作为阳极，沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上的金属层电连接在一起，作为阴极。本发明还提供一种制造所述肖特基二极管的方法。本发明可以提高肖特基二极管的反向击穿电压。

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