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一种负反馈型单光子雪崩光电二极管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010796541.5
  • IPC分类号:H01L31/107;H01L31/18
  • 申请日期:
    2020-08-10
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第四十四研究所
著录项信息
专利名称一种负反馈型单光子雪崩光电二极管及其制作方法
申请号CN202010796541.5申请日期2020-08-10
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-11-10公开/公告号CN111916526A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/107IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;0;7;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第四十四研究所申请人地址
重庆市南岸区南坪花园路14号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第四十四研究所当前权利人中国电子科技集团公司第四十四研究所
发明人陈伟;高新江;赵江林;刘昆;敖天宏;蒋利群;罗洪静;张承;陈扬;黄晓峰
代理机构重庆辉腾律师事务所代理人王海军
摘要
本发明涉及半导体光电子技术领域,具体涉及一种负反馈型单光子雪崩光电二极管及其制作方法,包括:衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层和帽层,衬底下方设置有入射光窗和N电极,N电极对称分布在入射光窗周围;衬底上方依次设置缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层和帽层;帽层上设置有阶梯结构P型掺杂区,P型掺杂区上生长有P电极;帽层上表面设置有介质膜,介质膜的中部设置有半封闭回旋环状结构的负反馈电阻,介质膜上设置有焊盘,负反馈电阻一端与P电极相连,另一端与焊盘相连。本发明能够实现单光子雪崩光电二极管SPAD盖革雪崩的快速淬灭、快速恢复,提升SPAD的光子探测速率、降低后脉冲效应,且具备到达时间不预测光子探测功能。

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