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由铱配合物构成的化学气相沉积用原料及使用该化学气相沉积用原料的化学气相沉积法

发明专利有效专利

申请号：
CN201880019340.5
IPC分类号：C23C16/16;C07F15/00;C23C16/18
申请日期：
2018-03-05
申请人：
田中贵金属工业株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	由铱配合物构成的化学气相沉积用原料及使用该化学气相沉积用原料的化学气相沉积法
申请号	CN201880019340.5	申请日期	2018-03-05
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-08	公开/公告号	CN110431253A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/06 以金属材料的沉积为特征的〔4〕 C23C16/16 自金属羰基化合物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;1;6;;;C;0;7;F;1;5;/;0;0;;;C;2;3;C;1;6;/;1;8查看分类表>
申请人	田中贵金属工业株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	田中贵金属工业株式会社	当前权利人	田中贵金属工业株式会社
发明人	原田了辅;重富利幸;铃木和治
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	常海涛;孙微

摘要

本发明涉及用于通过化学气相沉积法制造铱薄膜或者铱化合物薄膜的化学气相沉积用原料，该化学气相沉积用原料由在铱上配位有环丙烯基或其衍生物以及羰基配体的铱配合物构成。本发明中应用的铱配合物即使在应用氢等还原性气体的情况下也可以制造铱薄膜。(式中，环丙烯基配体的取代基R1～R3各自独立地为氢、或者碳数1以上4以下的直链状或支链状的烷基。)

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