一种碳纳米管阵列生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN02134776.X
IPC分类号：C01B31/02
申请日期：
2002-09-17
申请人：
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种碳纳米管阵列生长方法
申请号	CN02134776.X	申请日期	2002-09-17
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日	2004-03-24	公开/公告号	CN1483668
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/02 （转入C01B 32/05，C01B 32/15-C01B 32/198）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;0;2查看分类表>
申请人	清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	申请人地址	北京市海淀区清华大学物理系变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司,北京富纳特创新科技有限公司	当前权利人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司,北京富纳特创新科技有限公司
发明人	姜开利;范守善;李群庆
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种碳纳米管阵列生长方法，包括以下布骤：提供一平滑基底，将催化剂沉积于该基底表面，将沉积有催化剂的基底在气体保护下加热至一特定温度后通入碳源气与保护气体的混合气体，控制该混合气体的流速及流量比，使催化剂温度与环境温度温差在50℃以上，且使碳源气的分压低于20%，反应5-30分钟使碳纳米管阵列从基底长出。该碳纳米管阵列中的碳纳米管呈束状。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN102207574B	2007-03-30	2007-03-30	偏光元件及其制备方法有效专利	清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

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