提高直拉单晶硅拉速的装置及方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610732992.6
IPC分类号：C30B15/00;C30B29/06
申请日期：
2016-08-26
申请人：
内蒙古中环光伏材料有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	提高直拉单晶硅拉速的装置及方法
申请号	CN201610732992.6	申请日期	2016-08-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-12-14	公开/公告号	CN106222735A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	内蒙古中环光伏材料有限公司	申请人地址	内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	内蒙古中环光伏材料有限公司	当前权利人	内蒙古中环光伏材料有限公司
发明人	王军磊;尚伟泽;刘伟;武志军;刘学;夏梓铭
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种提高直拉单晶硅拉速的装置包括圆筒状的冷却机构、冷却介质进管、冷却介质出管；提高直拉单晶硅拉速的方法包括如下步骤：(1)准备，(2)加热化料，(3)中间处理，(4)等径，(5)收尾及后处理。本发明的优点在于，本发明的优点：利用惰性元素冷却介质气化吸热的原理，增加单晶硅棒的轴向温度梯度，使单晶硅拉速提高20％以上，由于未改变热场系统的上部保温等机构，因此没有额外的能耗增加；惰性元素冷却介质回收利用，降低了单晶硅生产成本；使用的惰性元素冷却介质为液氦或液氩，不与硅熔体发生反应，不会对热场部件造成影响，较常规方法较为安全，提高了单晶硅生产的安全性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供