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一种纳米P-P异质结构及其制备和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202010377717.3
IPC分类号：H01L35/12;H01L35/16;H01L35/34;H05B3/14
申请日期：
2020-05-07
申请人：
东华大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种纳米P-P异质结构及其制备和应用
申请号	CN202010377717.3	申请日期	2020-05-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-18	公开/公告号	CN111682095A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L35/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L35/12 结点引出线材料的选择〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;5;/;1;2;;;H;0;1;L;3;5;/;1;6;;;H;0;1;L;3;5;/;3;4;;;H;0;5;B;3;/;1;4查看分类表>
申请人	东华大学	申请人地址	上海市松江区松江新城人民北路2999号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东华大学	当前权利人	东华大学
发明人	李耀刚;吴波;侯成义;王宏志;张青红
代理机构	上海泰能知识产权代理事务所	代理人	黄志达;宋旭

摘要

本发明涉及一种纳米P‑P异质结构及其制备和应用，所述异质结构由P型半导体碲纳米线和P型半导体碲化锑纳米片组成，其中异质结构以碲纳米线表面缺陷为晶核，碲化锑纳米片垂直生长于碲纳米线表面。本发明制备的纳米P‑P异质结构可高效过滤低能量载流子进而提高其Seececk系数和热电性能，在温差发电与通电制冷领域有重要的科学价值和广阔的应用前景。

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