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半导体基板的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810089504.X
  • IPC分类号:H01L21/20;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/84
  • 申请日期:
    2008-04-03
  • 申请人:
    胜高股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体基板的制造方法
申请号CN200810089504.X申请日期2008-04-03
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2008-12-10公开/公告号CN101320684
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人胜高股份有限公司申请人地址
日本东京都港区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人胜高股份有限公司当前权利人胜高股份有限公司
发明人远藤昭彦;森本信之
代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司代理人耿小强
摘要
本发明提供一种制造最终产品贴合基板的方法,该方法是在使用研磨中止层的贴合方法中,抑制作为研磨中止层的SiO2层和硅基板的界面粗糙度,以使表面的粗糙度小。一种贴合的晶片的制造方法,该方法包括:在基板电阻为1~100mΩcm的活性层用晶片中注入氧离子,在前述活性层用晶片中形成氧离子注入层的工序;使前述活性层用晶片和支撑用晶片通过或不通过绝缘层贴合,形成贴合晶片的工序;将前述贴合的晶片热处理,强化贴合,而且使前述氧离子注入层作为含有SiO2层的工序;将前述强化贴合的贴合晶片从活性层用晶片的表面侧研削、研磨和/或蚀刻,使前述中止层露出表面的工序;除去前述SiO2层的工序;以及将贴合晶片在还原气氛下热处理,使活性层用晶片中含有的导电性成分扩散的工序。

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