半导体器件的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310298717.4
IPC分类号：H01L21/56;H01L21/60;H01L23/498;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/10
申请日期：
2009-05-27
申请人：
瑞萨电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件的制造方法
申请号	CN201310298717.4	申请日期	2009-05-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-10-23	公开/公告号	CN103367176A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/56 封装，例如密封层、涂层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;5;/;1;0查看分类表>
申请人	瑞萨电子株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	太田祐介;杉山道昭;石川智和;冈田三香子
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	申发振

摘要

本发明提供一种具有改善了的可靠性的半导体器件及半导体器件的制造方法。半导体器件包括：布线板；通过金凸起被倒装片键合到布线板之上的微型计算机芯片；层叠于微型计算机芯片之上的第一存储器芯片；用于将第一存储器芯片耦接到布线板的布线；用来填充微型计算机芯片的倒装片接合部分的底部填充材料；和用于用树脂密封微型计算机芯片和第一存储器芯片的密封部件。另外，使与填充底部填充材料过程中的排气侧的芯片的角部相对应的布线板的阻焊剂膜的第二开口部分的角部靠近微型计算机芯片，这能够改善在第二开口部分处底部填充材料的润湿性和扩展性，从而减少引线在第二开口部分处的暴露，由此改善半导体器件的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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