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用以间隔件双图案微影的自我对准与非闪存选择栅字线

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201180067812.2
  • IPC分类号:H01L21/027
  • 申请日期:
    2011-12-16
  • 申请人:
    斯班逊有限公司
著录项信息
专利名称用以间隔件双图案微影的自我对准与非闪存选择栅字线
申请号CN201180067812.2申请日期2011-12-16
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-10-30公开/公告号CN103380484A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/027IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人斯班逊有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人赛普拉斯半导体公司当前权利人赛普拉斯半导体公司
发明人T-S·陈;S·房
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
本发明揭露一种用以双图案微影的方法。在一实施例中,揭露有通过于光阻图案的周缘设置间隔件图案而开始形成于多个核心字线的任一侧上的一对选择栅字线。剥除该光阻图案而留下该间隔件图案。于该间隔件图案的一部分上设置修正掩模。蚀刻移除未被该修正掩模覆盖的间隔件图案的部分。移除该修正掩模,其中,该间隔件图案的第一剩余部分定义多个核心字线。设置垫掩模以致于该垫掩模及该间隔件图案的第二剩余部分于该多个核心字线的任一侧上定义选择栅字线。最后,使用该垫掩模及该间隔件图案的该第一、第二剩余部分而蚀刻过至少一图案转移层,以蚀刻该选择栅字线及该多个核心字线至多晶硅层。

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