具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200680054650.8
IPC分类号：H01L23/485
申请日期：
2006-12-11
申请人：
卡西欧计算机株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法
申请号	CN200680054650.8	申请日期	2006-12-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-05-27	公开/公告号	CN101443905
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/485 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/482 由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的〔5〕 H01L23/485 包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;5查看分类表>
申请人	卡西欧计算机株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	兆装微股份有限公司	当前权利人	兆装微股份有限公司
发明人	水泽爱子;冈田修;若林猛
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	陈松涛

摘要

一种半导体器件，包括半导体衬底和设置于半导体衬底上除其外围部分之外的区域中的低介电性膜布线线路层压结构部分。每个层压结构部分具有低介电性膜和多个布线线路的层压结构。在层压结构部分的上侧上设置绝缘膜。在绝缘膜上设置用于电极的连接焊盘部分，其待电连接到层压结构部分的最上层布线线路的连接焊盘部分。在用于电极的连接焊盘部分上设置用于外部连接的凸块电极。在绝缘膜上以及半导体衬底的外围部分上设置密封膜。层压结构部分的侧表面被绝缘膜或密封膜覆盖。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供