碳化硅单晶的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201980019480.7
IPC分类号：C30B29/36;C30B23/06
申请日期：
2019-02-18
申请人：
信越半导体株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	碳化硅单晶的制造方法
申请号	CN201980019480.7	申请日期	2019-02-18
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-30	公开/公告号	CN111868311A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;2;3;/;0;6查看分类表>
申请人	信越半导体株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	信越半导体株式会社	当前权利人	信越半导体株式会社
发明人	池田均;松本雄一;海老原正人;高桥亨
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司	代理人	张晶;谢顺星

摘要

本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其中，使碳化硅原材料于生长容器内升华，从而使碳化硅单晶在晶种基板上生长，所述制造方法的特征在于，作为所述晶种基板，使用设置于所述生长容器的面为偏移角1°以下的{0001}面、且晶体生长面为凸形状的生长晶锭端面的基板，并将所述晶种基板的直径设为所述生长容器的内径的80％以上。由此，提供一种碳化硅单晶的制造方法，该制造方法能够制造即使进行没有偏移角的生长、即在自C轴＜0001＞没有倾斜的基面上的生长方向上，也不易产生不同的多型，且直体率高的碳化硅单晶。

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