用于降低半导体结构中的内部机械应力的方法以及低机械应力半导体结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201080040028.8
IPC分类号：H01L21/02
申请日期：
2010-09-09
申请人：
奥普特冈有限公司

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著录项信息

专利名称	用于降低半导体结构中的内部机械应力的方法以及低机械应力半导体结构
申请号	CN201080040028.8	申请日期	2010-09-09
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-03	公开/公告号	CN102714136A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	奥普特冈有限公司	申请人地址	芬兰埃斯堡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	奥普特冈有限公司	当前权利人	奥普特冈有限公司
发明人	亚历克斯·罗马诺夫;马克西姆·A·欧得诺莱多夫;弗拉德斯拉夫·V·鲍格诺夫
代理机构	北京安信方达知识产权代理有限公司	代理人	周靖;郑霞

摘要

由第III族金属的氮化物形成在(0001)取向的异质衬底(1)上的具有低机械应力的半导体结构，以及用于降低由第III族金属的氮化物形成在(0001)取向的异质衬底(1)上的半导体结构中的内部机械应力的方法。方法包括以下步骤：在异质衬底(1)上生长氮化物以形成第一氮化物层(2)；通过选择性地除去第一氮化物层(2)的体积至距第一氮化物层(2)的上表面预定的深度来图案化第一氮化物层(2)，以提供层的在被除去的体积之间的剩余部分中的机械应力σ的弛豫；以及在第一氮化物层(2)上生长另外的氮化物，直到形成连续的第二氮化物层(8)，第二氮化物层(8)包封在半导体结构内部的在第二氮化物层(8)下的源自所除去的体积的空隙(7)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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