半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110416227.0
IPC分类号：G01N23/225
申请日期：
2011-12-14
申请人：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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著录项信息

专利名称	半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法
申请号	CN201110416227.0	申请日期	2011-12-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-06-13	公开/公告号	CN102495089A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N23/225 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N23/206 （转入G01N 23/205） G01N23/22 通过测量来自材料的二次发射〔1，2，2006.01，2018.01〕 G01N23/225 利用电子或离子微探针〔2，2006.01，2018.01〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;3;/;2;2;5查看分类表>
申请人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	申请人地址	江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	当前权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人	曾雄辉;徐耿钊;黄凯;刘争晖;邱永鑫;钟海舰;樊英民;王建峰;周桃飞;徐科
代理机构	上海翼胜专利商标事务所（普通合伙）	代理人	孙佳胤;翟羽

摘要

本发明提供半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法，属于半导体测试领域，该半导体材料测量装置包括一反应腔室、一样品平台、一聚焦离子束显微镜系统与一电子束诱导感生电流测量装置；并且在该方法中，对多层异质结构的半导体样品，可以利用该半导体材料测量装置的聚焦离子显微镜系统剥离部分表面，接着在原位沉积电极，然后用电子束诱导感生电流测量装置进行测量；本发明解决了现有技术中测量多层异质界面缺陷时采用单层测量的问题，本发明做到逐层解剖，逐层测量，极大的提高了工作效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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