一种大深径比的半球微坑阵列的加工工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201910373738.5
IPC分类号：B23H3/00;B23H11/00
申请日期：
2019-05-07
申请人：
大连理工大学

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著录项信息

专利名称	一种大深径比的半球微坑阵列的加工工艺
申请号	CN201910373738.5	申请日期	2019-05-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-26	公开/公告号	CN110052677A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B23H3/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B23 机床；其他类目中不包括的金属加工 B23H 用电极代替刀具，以电流高度集中的作用在工件上的金属加工；这种加工与其他方式的金属加工的组合（电铸、涂层的电解或电泳生产工艺或其所用的设备入C25D；电解去除加工件材料的工艺入C25F；把沉淀技术用于导电材料形成所要求的电路来制造印刷线路入H05K 3/18）〔4〕 B23H3/00 电化加工，即在电解液中，在电极和工件之间通过电流除掉金属〔4〕	IPC分类号	B;2;3;H;3;/;0;0;;;B;2;3;H;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	大连理工大学	申请人地址	辽宁省大连市甘井子区凌工路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连理工大学	当前权利人	大连理工大学
发明人	宋金龙;黄柳;刘新;王续跃;孙玉文
代理机构	大连理工大学专利中心	代理人	温福雪;侯明远

摘要

本发明属于微细加工技术领域，提供一种大深径比的半球微坑阵列的加工工艺，步骤如下：对金属基板预处理；掩膜制备：依次将光致抗蚀干膜HT200和具有镂空图案的掩膜板贴于预处理后的金属板上，然后于波长360nm的紫外光下照射以引发光聚合反应，再在质量分数5％的Na2CO3溶液中显影，从而复制图案到干膜上；电解加工：分别将覆有干膜的金属板和同尺寸的铜板作为阳极和阴极安装在侧冲夹具上，并加一定的脉冲电压进行加工，然后将金属工件取出并置于质量分数5％的NaOH溶液中去膜，经清洗、吹干后获得大深径比的半球微坑阵列。本发明方法具有易操作、低成本、高效率、所得半球微坑阵列的深径比大且进一步减小摩擦磨损等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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