加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510026546.5
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2005-06-08
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法
申请号CN200510026546.5申请日期2005-06-08
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2006-12-13公开/公告号CN1877856
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
上海市川桥路1188号718 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹NEC电子有限公司当前权利人上海华虹NEC电子有限公司
发明人李建文;陈志伟
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种大功率MOS器件以及一种制造大功率MOS器件的方法。该方法包括以下步骤成长场氧化层;去除氮化硅;去除二氧化硅;成长硬掩膜;沟槽光刻;沟槽主刻蚀;沟槽底部离子注入;沟槽底部圆化刻蚀;去除硬掩膜;成长栅氧化层;成长多晶硅栅;金属层互连。利用本发明制造的大功率MOS器件深沟槽底部栅氧化层的厚度比沟槽上的栅氧化层厚,其栅极和漏极之间的寄生电容CGD较小,有较好的频率特性。本发明可应用于MOS器件制造技术。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供