首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

保护带条的粘贴和分离方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02160491.6
IPC分类号：H01L21/304
申请日期：
2002-12-27
申请人：
日东电工株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	保护带条的粘贴和分离方法
申请号	CN02160491.6	申请日期	2002-12-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-07-09	公开/公告号	CN1428822
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/304 机械处理，例如研磨、抛光、切割〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;4查看分类表>
申请人	日东电工株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日东电工株式会社	当前权利人	日东电工株式会社
发明人	山本雅之
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	顾峻峰

摘要

通过一带条粘贴机构向由一吸盘台吸附支承的晶片的表面粘贴一保护带条。该保护带条由一切割单元被切成晶片的形状。而后，具有的粘合力比第一保护带条更强的一保护带条被粘贴到保护带条上。在一带条分离装置的一次分离操作中，多层形式的若干保护带条可一起从晶片的表面上分离。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供