衬底处理装置及衬底处理方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510108591.5
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/205;C23C16/44;C23F4/00;C30B25/14;C30B33/12
申请日期：
2005-10-10
申请人：
松下电器产业株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	衬底处理装置及衬底处理方法
申请号	CN200510108591.5	申请日期	2005-10-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-04-26	公开/公告号	CN1763913
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;F;4;/;0;0;;;C;3;0;B;2;5;/;1;4;;;C;3;0;B;3;3;/;1;2查看分类表>
申请人	松下电器产业株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	松下电器产业株式会社	当前权利人	松下电器产业株式会社
发明人	松原俊夫;佐藤宏行;内岛秀人
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

本发明公开了一种衬底处理装置和衬底处理方法。衬底处理装置包括：能够减压的反应室、具有形成有通孔(10)、(11’)、(11)的气体扩散板(9)且将处理气体供到反应室内部的喷头以及用以设置衬底的衬底支承部。设在气体扩散板(9)的周边区域的通孔(11’)、(11)，其入口部分的面积大于出口部分的面积。因为若使用该装置，便能将处理气体均匀地供到气体扩散板内，所以能够均匀地进行膜沉积、膜蚀刻等衬底处理。因此，提供的是一种能够在晶片面内均匀地进行衬底处理的衬底处理装置及衬底处理方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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