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场效应晶体管制备方法及场效应晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910326880.4
  • IPC分类号:H01L21/34;H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2019-04-22
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称场效应晶体管制备方法及场效应晶体管
申请号CN201910326880.4申请日期2019-04-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-08-09公开/公告号CN110112073A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/34IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人揣喜臣;卢年端;杨冠华;李泠;耿玓;刘明
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人任岩
摘要
本发明提供了一种场效应晶体管制备方法及场效应晶体管,属于场效应晶体管制造技术领域。所述场效应晶体管制备方法包括:在衬底上制备栅电极;在所述衬底和栅电极表面制备栅介质层;将二维半导体沟道层转移至栅介质层表面;在所述二维半导体沟道层的两侧制备源电极和漏电极;在所述二维半导体沟道层表面,根据不同的沟道类型调节钝化层元素的生长顺序,循环往复的生长钝化层。本发明提供的场效应晶体管制备方法,可以制备出更低亚阈值摆幅的场效应晶体管,并调节了晶体管的阈值电压,提高了晶体管的开关速度和稳定性,降低了晶体管的信号噪音和功耗。

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