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一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块

实用新型无效专利
  • 申请号:
    CN201520658194.4
  • IPC分类号:H01L23/485
  • 申请日期:
    2015-08-28
  • 申请人:
    江苏纳沛斯半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块
申请号CN201520658194.4申请日期2015-08-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/485IPC分类号H01L23/485查看分类表>
申请人江苏纳沛斯半导体有限公司申请人地址
江苏省淮安市清浦区工业园区发展西道*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏纳沛斯半导体有限公司当前权利人江苏纳沛斯半导体有限公司
发明人周义亮
代理机构淮安市科文知识产权事务所代理人谢观素
摘要
本实用新型公开了一种高可靠性的铜镍金IC封装凸块,包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜层、第二铜层、镍层和金层,所述绝缘层上设有孔,露出部分导电层,所述孔并排设有多道,相邻的两道孔之间为孔桥,所述钛层成波浪形贴合部分导电层、孔桥以及绝缘层的表面,所述第一铜层、第二铜层、镍层和金层也成波浪形。各金属层成波浪形,降低温度变化时各金属层的横向位移,从而减小相邻金属层之间的应力,进而削弱应力产生的负面影响,提高钯金IC封装凸块的可靠性;孔桥可以吸收钛层与部分导电层之间的应力,进一步提高钯金IC封装凸块的可靠性。

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