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适用于高像素密度的像素驱动电路、像素结构和制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710760472.0
  • IPC分类号:G09G3/3208
  • 申请日期:
    2017-08-29
  • 申请人:
    昆山国显光电有限公司
著录项信息
专利名称适用于高像素密度的像素驱动电路、像素结构和制作方法
申请号CN201710760472.0申请日期2017-08-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-03-05公开/公告号CN109427287A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G09G3/3208IPC分类号G;0;9;G;3;/;3;2;0;8查看分类表>
申请人昆山国显光电有限公司申请人地址
江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路1号4幢 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昆山国显光电有限公司当前权利人昆山国显光电有限公司
发明人宋艳芹;张九占
代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明实施例的适用于高像素密度的像素驱动电路,用于解决现有面板的像素受像素驱动电路影响,像素密度过低的技术问题。包括开关管,所述开关管采用双栅极场效应管,所述双栅极场效应管包括第一栅极和第二栅极,所述第一栅极和第二栅极连接同一扫描线。本发明实施例首先通过双栅极场效应管作为开关管,避免了采用额外补偿电路克服干扰因素造成像素复杂化影响像素PPI的提升。本发明还包括适用于高像素密度的像素结构和制作方法。

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