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通过执行替代生长制程形成FINFET半导体装置的替代鳍片的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410336404.8
  • IPC分类号:H01L21/20;H01L21/336
  • 申请日期:
    2014-07-15
  • 申请人:
    格罗方德半导体公司
著录项信息
专利名称通过执行替代生长制程形成FINFET半导体装置的替代鳍片的方法
申请号CN201410336404.8申请日期2014-07-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-01-21公开/公告号CN104299893A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人格罗方德半导体公司申请人地址
英属开曼群岛大开曼岛 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格罗方德半导体公司当前权利人格罗方德半导体公司
发明人A·P·雅各布;M·K·阿卡尔瓦尔达;J·弗伦海泽;W·P·马斯扎拉
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
本发明揭露通过执行替代生长制程形成FINFET半导体装置的替代鳍片的方法。在一实施例中,稳定替代鳍片所生长至的高度大于该替代鳍片材料的无约束稳定临界厚度且该稳定替代鳍片遍及其整个高度具有104缺陷/厘米2或更低的缺陷密度。在另一实施例中,亚稳定替代鳍片所生长至的高度大于该替代鳍片材料的无约束亚稳定临界厚度且该亚稳定替代鳍片遍及其整个高度的至少90%具有105缺陷/厘米2或更低的缺陷密度。

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