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一种层状结构的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911003631.8
  • IPC分类号:C04B35/468;C04B35/622;H01F1/01
  • 申请日期:
    2019-10-21
  • 申请人:
    哈尔滨工业大学
著录项信息
专利名称一种层状结构的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷的制备方法
申请号CN201911003631.8申请日期2019-10-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-01-10公开/公告号CN110668809A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/468IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;6;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;H;0;1;F;1;/;0;1查看分类表>
申请人哈尔滨工业大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈尔滨工业大学当前权利人哈尔滨工业大学
发明人张洪军;吴春龙;柯华;李方喆;田晶鑫;唐晓慧;罗蕙佳代;曹璐
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所代理人岳泉清
摘要
一种层状结构的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷的制备方法,它涉及一种铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷漏电流大的问题。方法:一、制备BaTiO3膜;二、制备BaTi1‑xFexO3膜;三、裁切;四、叠层;五、热压;六、排胶;七、等静压;八、烧结,得到到层状结构BaTiO3/BaTi1‑xFexO3/BaTiO3磁电陶瓷,即为层状结构的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷。本发明制备的钛酸钡基磁电陶瓷在引入磁性元素的同时,很好的保留了原有的铁电性能,其漏电流小于同成分的用其他方法制备的陶瓷块体。本发明可获得一种层状结构的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷。

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