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半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510104375.7
  • IPC分类号:H01L23/367;H01L23/40
  • 申请日期:
    2015-03-10
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置及其制造方法
申请号CN201510104375.7申请日期2015-03-10
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-09-16公开/公告号CN104916601A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/367IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;0查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱电机株式会社当前权利人三菱电机株式会社
发明人中原贤太;吉田博
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司代理人何立波;张天舒
摘要
提供一种半导体装置,其能够得到与冷却器的良好的热学以及机械连接。基座板(1)具有:安装面(SM),在安装面(SM)安装有半导体元件(4);以及散热面(SR),其用于向冷却器散热。包覆部(110)具有在基座板(1)的安装面(SM)上对半导体元件(4)进行封装的部分。包覆部(110)具有凸出部分(110P),该凸出部分(110P)配置于散热面(SR)的外侧,在厚度(DT)方向上比散热面(SR)凸出。介质部(200)设置于基座板(1)的散热面(SR)上,在厚度方向(DT)上比包覆部(110)的凸出部分(110P)凸出,由固相状态的热塑性材料构成。

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