一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110674151.5
IPC分类号：A01H4/00
申请日期：
2021-06-17
申请人：
内蒙古大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法
申请号	CN202110674151.5	申请日期	2021-06-17
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-20	公开/公告号	CN113273494A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	A01H4/00 ? IPC结构图谱： A 人类生活必需 A0 农业 A01 农业；林业；畜牧业；狩猎；诱捕；捕鱼 A01H 新植物或获得新植物的方法；通过组织培养技术的植物再生〔5〕 A01H4/00 通过组织培养技术的植物再生〔5〕	IPC分类号	A;0;1;H;4;/;0;0查看分类表>
申请人	内蒙古大学	申请人地址	内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西路235号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	内蒙古大学	当前权利人	内蒙古大学
发明人	赵东平;杨倩;王丽红;王丹
代理机构	北京力量专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	毛婷

摘要

本发明属于苔藓植物扩繁培养技术领域，具体涉及一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法。首先，本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基，所述培养基以Beneck培养基为基础培养基，以蔗糖为碳源，添加植物激素IBA或2，4‑D 0.5‑2.5mg/L、琼脂8‑10g/L制成。其次，本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁方法，包括：(1)用0.05‑0.1％HgCl2对卷叶墙藓外植体表面进行处理；(2)将消毒处理后的卷叶墙藓外植体接种在所述的培养基上进行培养。本发明填补现有技术中卷叶墙藓配子体扩繁技术领域的空白，实现了人工大量快速扩繁卷叶墙藓配子体，为卷叶墙藓生物学特性研究奠定了基础。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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