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在后段工艺期间关于层特性的电容性监控方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010511820.9
IPC分类号：H01L21/66;H01L21/768
申请日期：
2010-10-14
申请人：
格罗方德半导体公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	在后段工艺期间关于层特性的电容性监控方法
申请号	CN201010511820.9	申请日期	2010-10-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-05-04	公开/公告号	CN102044464A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	格罗方德半导体公司	申请人地址	英国开曼群岛变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格罗方德半导体公司	当前权利人	格罗方德半导体公司
发明人	J·崔;Y·文;R·奥格尔;E·杰林斯基
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;靳强

摘要

本发明提供有关于半导体器件在后段工艺期间关于层特性的电容性监控方法。于一个实施例中，一种方法包含步骤：形成第一电容器阵列，该第一电容器阵列包含第一与第二覆盖触点，该第一与第二覆盖触点分别形成在该多个后段层之中的不同一层中，测量该第一与第二覆盖触点之间的层间电容，以及将经测量的该层间电容转换成为该第一与第二覆盖触点之间的距离。

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