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相变存储器单元形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010168871.6
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2010-04-29
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称相变存储器单元形成方法
申请号CN201010168871.6申请日期2010-04-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-11-09公开/公告号CN102237492A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人张翼英;洪中山
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
一种相变存储器单元形成方法,包括:提供形成有第一金属层的半导体衬底,所述半导体衬底形成有覆盖第一金属层的第一层间介质层,所述第一层间介质层表面覆盖有阻挡层和第二层间介质层,形成在第二层间介质层、阻挡层和第一层间介质层内并暴露出第一金属层的开口;在所述开口的侧壁和底部形成粘附层;采用第二金属层填满所述开口;刻蚀开口内的第二金属层与阻挡层齐平;刻蚀粘附层并使得刻蚀后的粘附层高于刻蚀后的第二金属层;采用相变材料层填满所述开口。本发明形成的相变存储器单元性能较优。

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