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一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810010913.X
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32
申请日期：
2018-01-05
申请人：
广东省半导体产业技术研究院

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著录项信息

专利名称	一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法
申请号	CN201810010913.X	申请日期	2018-01-05
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-06-29	公开/公告号	CN108231960A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2查看分类表>
申请人	广东省半导体产业技术研究院	申请人地址	广东省广州市天河区长兴路363号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东省半导体产业技术研究院	当前权利人	广东省半导体产业技术研究院
发明人	贺龙飞;陈志涛;赵维;张康;吴华龙;何晨光
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	符莹莹

摘要

本发明提供了一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。此器件的外延结构包括衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlGaN量子垒层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和接触层，其中0.01≤x

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