一种减少光刻胶中毒的通孔介电阻挡层的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110123668.1
IPC分类号：--
申请日期：
2011-05-13
申请人：
上海华力微电子有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种减少光刻胶中毒的通孔介电阻挡层的制作方法
申请号	CN201110123668.1	申请日期	2011-05-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-04-11	公开/公告号	CN102412189A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	胡友存;李磊;陈玉文;姬峰;张亮
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	王敏杰

摘要

本发明提出一种两层或多层掺氮碳化硅作为底部介电阻挡层的方法减少双层光阻光刻工艺中的光刻胶中毒现象，减少了光刻胶中毒现象，同时有利于刻蚀工艺控制。本发明的有益处是：通孔刻蚀时，不吃穿所述第二介电阻挡层，可以避免在沟槽光刻工艺中因为高掺氮碳化硅暴露恶化光刻胶中毒现象；所述第二介电阻挡层采用低掺氮碳化硅可以避免现有技术中掺氧碳化硅与低k介电层刻蚀选择比低的问题；采用多层介电阻挡层，可以只在上层使用低掺氮碳化硅，而最下层仍然采用高掺氮碳化硅或氮化硅来抑制铜扩散，加强与铜的黏附性，保证与铜互连的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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