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半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010466108.5
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2020-05-28
  • 申请人:
    北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构及其形成方法
申请号CN202010466108.5申请日期2020-05-28
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-12-03公开/公告号CN113745110A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请人地址
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢一层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司当前权利人北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
发明人任烨;胡建强;郑凯;杨芸;高颖
代理机构北京市一法律师事务所代理人刘荣娟
摘要
本申请提供一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上依次形成有栅介质层、栅极层;去除部分所述栅极层、栅介质层及半导体衬底,形成沟槽;在所述沟槽中形成绝缘层,所述绝缘层的顶面低于所述半导体衬底的顶面;向所述半导体衬底的侧壁注入离子,形成源极和漏极。采用本申请的形成方法可以节省光罩成本,减少工艺步骤,避免半导体结构水平方向上无效面积的增加,在同等性能的情况下,可以大幅度缩小器件尺寸。

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