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形成外延部件的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310075181.X
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/20
申请日期：
2013-03-08
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	形成外延部件的方法
申请号	CN201310075181.X	申请日期	2013-03-08
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-05-21	公开/公告号	CN103811351A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	郑有宏;郭紫微;蔡俊雄;许俊豪
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;孙征

摘要

形成外延部件的方法。本发明提供一种集成电路器件和制造该集成电路器件的方法。所披露的方法提供了基本上无缺陷的外延部件。一种示例性方法包括：在衬底上方形成栅极结构；在衬底中形成凹槽从而使栅极结构介于凹槽之间；以及在凹槽中形成源极/漏极外延部件。形成源极/漏极外延部件包括：实施选择性外延生长工艺以在凹槽中形成外延层，以及实施选择性回蚀刻工艺以从外延层移除位错区。

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