一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201310325790.6
IPC分类号：H01L31/042;H01G9/042;H01G9/20;H01G9/048;H01M14/00;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2013-07-30
申请人：
天津大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用
申请号	CN201310325790.6	申请日期	2013-07-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-11-20	公开/公告号	CN103400878A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕 H01L31/042 单个光伏电池的光伏模块或者阵列（用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00）〔5，2014.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;4;2;;;H;0;1;G;9;/;0;4;2;;;H;0;1;G;9;/;2;0;;;H;0;1;G;9;/;0;4;8;;;H;0;1;M;1;4;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	巩金龙;吕睿;王拓;苏凤莉;张鹏
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	琪琛

摘要

本发明公开了一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用，氧化锌纳米铅笔阵列电极是ZnO主干纳米棒顶端生长有ZnO针状尖端；制备方法由ZnO种子层的制备，ZnO纳米棒阵列的制备，ZnO纳米铅笔阵列的制备三步构成。本发明的氧化锌纳米铅笔阵列电极采用液相合成方法，条件温和，操作容易，成本低廉；ZnO纳米铅笔结构能够提高光生电子-空穴对的密度，增大光生电流的强度，在外加电压为1VvsAg/AgCl时的光电流密度为1.14mA/cm2，比同样尺寸的ZnO纳米棒高出约2倍，提高了材料的光解水效率，使得ZnO纳米铅笔能够作为光电阳极材料，应用于光电化学池光解水制氢领域。

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