制造火花塞的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02149886.5
IPC分类号：H01T21/02;H01T13/00
申请日期：
2002-06-26
申请人：
日本特殊陶业株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	制造火花塞的方法
申请号	CN02149886.5	申请日期	2002-06-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-04-09	公开/公告号	CN1409450
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01T21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01T 火花隙；应用火花隙的过压避雷器；火花塞；电晕装置；产生被引入非密闭气体的离子（过压保护电路入H02H） H01T21/00 专用于制造或维护火花隙或火花塞的设备或方法 H01T21/02 火花塞的	IPC分类号	H;0;1;T;2;1;/;0;2;;;H;0;1;T;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	日本特殊陶业株式会社	申请人地址	日本爱知县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本特殊陶业株式会社	当前权利人	日本特殊陶业株式会社
发明人	西川俭一;杉本诚
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王杰

摘要

一种用于生产火花塞的方法，火花塞包括一个中心电极，一个金属外壳和放置在中心电极和金属外壳之间的氧化铝陶瓷绝缘子，其中用釉层覆盖至少部分绝缘子的表面，该方法包括的步骤是：分别熔化、玻璃化和研磨原材料粉末的多种不同混合物以制备多种不同釉料组分粉，其中每一种不同釉料组分粉具有与其他种釉料组分粉相比不同的膨胀测量软化点和不同的线膨胀系数；用多种不同釉料组分粉至少部分涂覆绝缘子的表面以形成釉粉层；并且通过加热该釉粉层焙固绝缘子表面的釉粉层以形成釉层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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