一种微机械谐振器及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310235167.1
IPC分类号：H03H9/24
申请日期：
2013-06-14
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	一种微机械谐振器及其制作方法
申请号	CN201310235167.1	申请日期	2013-06-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-09-04	公开/公告号	CN103281048A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H9/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H9/00 包括机电或电声器件的网络；机电谐振器（制造压电或磁致伸缩元件入H01L 41/00；扬声器，话筒，唱机拾音器或类似物入H04R） H03H9/24 不用压电、电致伸缩或磁致伸缩材料的谐振器的结构特点	IPC分类号	H;0;3;H;9;/;2;4查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	杨晋玲，赵晖，骆伟，袁泉，杨富华
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明公开了一种微机械谐振器及其制作方法，该微机械谐振器由谐振器晶片和封装盖片键合密封而成，谐振器晶片上包括输入电极、输出电极、偏置电极、谐振单元、支撑结构，谐振器结构周围大面积接地孔减小了馈通信号，谐振器周围的微型加热器实现了高精度温度补偿，谐振器晶片上最外围的结构是键合封装环，封装盖片上包括封装空腔、键合封装环结构和电学引出结构。本发明实现了高性能谐振器的高精度大规模制作加工和圆片级气密性键合封装，可用于高性能MEMS谐振器的低成本大规模生产。

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