屏蔽导体层的切断方法和激光加工装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200780004572.5
IPC分类号：B23K26/38;B23K26/00;B23K26/04;B23K26/06;B23K26/067;H02G1/12;B23K101/36
申请日期：
2007-02-26
申请人：
飞腾股份有限公司

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著录项信息

专利名称	屏蔽导体层的切断方法和激光加工装置
申请号	CN200780004572.5	申请日期	2007-02-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-03-04	公开/公告号	CN101378876
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B23K26/38 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B23 机床；其他类目中不包括的金属加工 B23K 钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工（用金属的挤压来制造金属包覆产品入B21C 23/22；用铸造方法制造衬套或包覆层入B22D 19/08；用浸入方式的铸造入B22D 23/04；用烧结金属粉末制造复合层入B22F 7/00；机床上的仿形加工或控制装置入B23Q；不包含在其他类目中的包覆金属或金属包覆材料入C23C；燃烧器入F23D） B23K26/00 用激光束加工，例如焊接，切割或打孔〔2，3，2014.01〕 B23K26/36 除掉材料（B23J26/55，B23K26/57优先）〔7，2014.01〕 B23K26/38 利用镗孔或切削〔7，2014.01〕	IPC分类号	B;2;3;K;2;6;/;3;8;;;B;2;3;K;2;6;/;0;0;;;B;2;3;K;2;6;/;0;4;;;B;2;3;K;2;6;/;0;6;;;B;2;3;K;2;6;/;0;6;7;;;H;0;2;G;1;/;1;2;;;B;2;3;K;1;0;1;/;3;6查看分类表>
申请人	飞腾股份有限公司	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	飞腾股份有限公司	当前权利人	飞腾股份有限公司
发明人	宫越笃司;仓田忠
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	李香兰

摘要

本发明提供一种屏蔽导体层的切断方法和激光加工装置，其特征在于，准备具有中心导体、以覆盖该中心导体的方式配置的内部绝缘体、以覆盖该内部绝缘体的方式配置的屏蔽导体层的屏蔽电缆(1)；从垂直于所述屏蔽电缆(1)的纵向的至少3方向对所述屏蔽导体层照射激光(12)，而切断所述屏蔽导体层；对所述屏蔽导体层照射的激光的相邻的两条光轴产生的角度是低于180°。提供在屏蔽导体层侧面不残留不切断的屏蔽线，从而能充分确保内部导体和屏蔽导体层的绝缘性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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