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光刻预湿设备以及光刻预湿方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811425841.1
  • IPC分类号:G03F7/16
  • 申请日期:
    2018-11-27
  • 申请人:
    德淮半导体有限公司
著录项信息
专利名称光刻预湿设备以及光刻预湿方法
申请号CN201811425841.1申请日期2018-11-27
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-01-25公开/公告号CN109270794A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/16IPC分类号G;0;3;F;7;/;1;6查看分类表>
申请人德淮半导体有限公司申请人地址
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人德淮半导体有限公司当前权利人德淮半导体有限公司
发明人沈雪;苏延洪;柯汎宗;黄志凯;叶日铨
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人武振华;吴敏
摘要
一种光刻预湿设备以及光刻预湿方法,所述光刻预湿设备包括:晶圆基座,用于放置晶圆;预湿溶剂容器,用于放置预湿溶剂;预湿溶剂管路,所述预湿溶剂管路与所述预湿溶剂容器连接,所述预湿溶剂管路用于将所述预湿溶剂引导至所述晶圆的表面;微纳气泡发生装置,所述微纳气泡发生装置与所述预湿溶剂管路连接,所述微纳气泡发生装置用于生成微纳气泡,并将所述微纳气泡传输至所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂中。本发明方案有助于减少晶圆表面的缺陷以及后续工艺中的胶膜缺陷。

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