具有增强的绝缘结构的场效应晶体管

发明专利有效专利

申请号：
CN200480036193.0
IPC分类号：--
申请日期：
2004-12-06
申请人：
国际整流器公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有增强的绝缘结构的场效应晶体管
申请号	CN200480036193.0	申请日期	2004-12-06
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-11-05	公开/公告号	CN101300669
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	国际整流器公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技美洲公司	当前权利人	英飞凌科技美洲公司
发明人	罗伯特·彼迟
代理机构	北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司	代理人	余朦;方挺

摘要

基于III族-氮化物的场效应晶体管通过操纵材料层界面的面内晶格常数之间的关系获得了改善的性能特性。III族-氮化物材料界面产生的高迁移率二维电子气在低导通电阻下允许高电流导电，并且可通过操纵根据III族-氮化物的特性所获得的自发极化场进行控制。所制造的场效应晶体管可制成名义导通器件，其中材料的面内晶格常数形成界面匹配。材料层之一具有大于其它层材料的面内晶格常数时，可制造名义上截止的器件。层的材料优选为InAlGaN/GaN层，其显著适合本发明的特性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供