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CMOS图像传感器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610169068.8
IPC分类号：H01L27/146;H01L21/822
申请日期：
2006-12-20
申请人：
东部电子股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	CMOS图像传感器及其制造方法
申请号	CN200610169068.8	申请日期	2006-12-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-07-04	公开/公告号	CN1992302
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/146 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕 H01L27/144 由辐射控制的器件〔5〕 H01L27/146 图像结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人	东部电子股份有限公司	申请人地址	韩国首尔变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东部电子股份有限公司	当前权利人	东部电子股份有限公司
发明人	任劲赫
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	郑小军

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底；光电二极管区和浮置扩散区，形成在所述半导体衬底上；晶体管，形成在所述光电二极管区与所述浮置扩散区之间；隔离层，形成在所述晶体管的下侧；以及沟道区，形成在所述晶体管与所述隔离层之间。

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