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包含阻障件抛光停止层的集成电路及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210202572.9
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/528
  • 申请日期:
    2012-06-15
  • 申请人:
    格罗方德半导体公司
著录项信息
专利名称包含阻障件抛光停止层的集成电路及其制造方法
申请号CN201210202572.9申请日期2012-06-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-12-19公开/公告号CN102832166A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8查看分类表>
申请人格罗方德半导体公司申请人地址
英属开曼群岛大开曼岛 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格罗方德半导体公司当前权利人格罗方德半导体公司
发明人E·R·弗特奈尔;C·彼得斯;J·海因里希
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
本发明提供一种包含阻障件抛光停止层的集成电路及其制造方法,其中,提供一种用来制作集成电路的方法的实施例,作为集成电路的实施例。在一实施例中,该方法包含在半导体装置上方沉积层间介电层、在该层间介电层上方沉积阻障件抛光终止层以及图案化至少该阻障件抛光终止层及该层间介电层,以在其中创造多个蚀刻特征。铜是镀覆在该阻障件抛光终止层上方并且进入该多个蚀刻特征中,以产生上覆该阻障件抛光终止层的铜过载,及在该层间介电层及阻障抛光终止层中产生多个导电互连特征。抛光该集成电路,以去除该铜过载,并暴露该阻障件抛光终止层。

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