一种三维石墨烯二氧化锰纳米复合材料修饰电极的制备及其电容性能测试的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510749502.9
IPC分类号：H01G11/36;H01G11/46;H01G11/30;H01G11/86;H01G11/26;H01G11/24;G01R27/26
申请日期：
2015-11-06
申请人：
海南师范大学

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著录项信息

专利名称	一种三维石墨烯二氧化锰纳米复合材料修饰电极的制备及其电容性能测试的方法
申请号	CN201510749502.9	申请日期	2015-11-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-01-13	公开/公告号	CN105244180A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G11/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G11/00 混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层（EDL）电容器；其制造方法或其零部件的制造方法〔2013.01〕 H01G11/22 电极〔2013.01〕 H01G11/30 以它们的材料为特征的〔2013.01〕 H01G11/32 碳基〔2013.01〕 H01G11/36 纳米结构，如纳米纤维、纳米管或富勒烯〔2013.01〕	IPC分类号	H;0;1;G;1;1;/;3;6;;;H;0;1;G;1;1;/;4;6;;;H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6;;;H;0;1;G;1;1;/;2;6;;;H;0;1;G;1;1;/;2;4;;;G;0;1;R;2;7;/;2;6查看分类表>
申请人	海南师范大学	申请人地址	海南省海口市龙昆南路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海南师范大学	当前权利人	海南师范大学
发明人	孙伟;王文成;闫丽君;牛学良
代理机构	北京中济纬天专利代理有限公司	代理人	于跃

摘要

本发明公开了一种三维石墨烯二氧化锰纳米复合材料修饰电极的制备及其电容性能测试的方法，首先制备离子液体修饰电极，然后利用恒电位法在离子液体修饰碳糊电极表面依次电沉积三维石墨烯、二氧化锰纳米材料，得到三维石墨烯二氧化锰纳米复合材料修饰碳糊电极，用所述的三维石墨烯二氧化锰纳米复合材料修饰电极为工作电极，铂片为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极，运用循环伏安法、交流阻抗法以及恒电流充放电法对三维石墨烯二氧化锰纳米复合材料的电容性能进行测试。三维石墨烯二氧化锰纳米复合材料修饰电极制备方法简单，单电极电容高、循环性能好，适合用于快速测试超级电容器电极材料的电容性能。

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