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一种薄膜晶体管结构、液晶显示装置和一种制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310024370.4
  • IPC分类号:H01L29/786;G02F1/136;H01L21/77
  • 申请日期:
    2013-01-23
  • 申请人:
    深圳市华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称一种薄膜晶体管结构、液晶显示装置和一种制造方法
申请号CN201310024370.4申请日期2013-01-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-05-15公开/公告号CN103107202A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7查看分类表>
申请人深圳市华星光电技术有限公司申请人地址
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市华星光电技术有限公司当前权利人深圳市华星光电技术有限公司
发明人曾志远
代理机构深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)代理人邢涛
摘要
本发明公开一种薄膜晶体管结构、液晶显示装置和一种制造方法。一种薄膜晶体管结构,包括第一金属层,所述第一金属层上设有绝缘层,所述绝缘层表面覆盖有第二金属层,所述第二金属层在所述第一金属层正上方对应区域设有缺口,所述绝缘层在所述缺口对应区域设有凹槽,所述第二金属层、缺口和凹槽表面覆盖有氧化铟镓锌材质的有源层。本发明由于在缺口处进行进一步的蚀刻,在绝缘层的表面蚀刻出凹槽,这样就去除了绝缘层中材质不纯的表面物质,从而提高了TFT的特性效率。

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