加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种肖特基二极管及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910708669.9
  • IPC分类号:H01L29/872;H01L29/06
  • 申请日期:
    2019-08-01
  • 申请人:
    山东天岳电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种肖特基二极管及其制造方法
申请号CN201910708669.9申请日期2019-08-01
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-12-13公开/公告号CN110571282A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/872
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人山东天岳电子科技有限公司申请人地址
山东省济南市槐荫区美里湖办事处邹庄南 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人山东天岳电子科技有限公司当前权利人山东天岳电子科技有限公司
发明人任娜
代理机构北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王素花
摘要
本申请实施例提供了一种肖特基二极管及其制造方法,肖特基二极管包括:具有第一导电类型的外延层。在外延层上具有多个第二导电类型的半导体区域,第一导电类型与第二导电类型不同。多个第二导电类型的半导体区域包括:若干第一区域、以及以各第一区域为中心均匀围绕的预设数量的第二区域。其中,第一区域的宽度大于第二区域的宽度,第一区域的深度与第二区域的深度相同,第一区域、第二区域分别形成欧姆接触区域的形状相同。第一区域和第二区域分别与外延层形成肖特基二极管的PN结。通过上述技术方案,可以在尽量保持或不影响正常电流导通模式下肖特基二极管的正常导通性能的情况下,增强器件的抗浪涌电流能力。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供