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静态随机存取存储器单元结构及静态随机存取存储器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110668464.X
  • IPC分类号:G11C11/413;G11C16/34;G11C8/14;G11C7/18;G11C5/14
  • 申请日期:
    2021-06-16
  • 申请人:
    杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院
著录项信息
专利名称静态随机存取存储器单元结构及静态随机存取存储器
申请号CN202110668464.X申请日期2021-06-16
法律状态公开申报国家暂无
公开/公告日2021-11-09公开/公告号CN113628649A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C11/413IPC分类号G;1;1;C;1;1;/;4;1;3;;;G;1;1;C;1;6;/;3;4;;;G;1;1;C;8;/;1;4;;;G;1;1;C;7;/;1;8;;;G;1;1;C;5;/;1;4查看分类表>
申请人杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院申请人地址
浙江省杭州市萧山区宁围街道钱江世纪公园C区1幢101室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州未名信科科技有限公司,浙江省北大信息技术高等研究院当前权利人杭州未名信科科技有限公司,浙江省北大信息技术高等研究院
发明人肖韩;张奕涵;叶乐;黄如
代理机构北京辰权知识产权代理有限公司代理人孔垂超
摘要
本申请公开了一种静态随机存取存储器单元结构,包括第一反相器、第二反相器、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管;第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端,第二反相器的输出端连接第一反相器的输入端;第三NMOS管的源极或漏极与第一反相器的输出端相连接;第四NMOS管的源极或漏极与第二反相器的输出端相连接;第五NMOS管的栅极与第二反相器的输出端相连接。本申请的静态随机存取存储器单元结构,具有栅端读出晶体管,能够将静态随机存取存储器单元结构的读操作和写操作完全去耦合,能够避免读操作时对存储数据干扰,提升了读操作能力,极大地提高了噪声裕度窗口,使静态随机存取存储器单元结构更适合低电压、低功耗的应用场景。

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