一种Mn掺杂SnO2室温稀磁半导体纳米粉的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710168978.9
IPC分类号：B22F9/24
申请日期：
2007-12-21
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	一种Mn掺杂SnO2室温稀磁半导体纳米粉的制备方法
申请号	CN200710168978.9	申请日期	2007-12-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-07-16	公开/公告号	CN101219478
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B22F9/24 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B22 铸造；粉末冶金 B22F 金属粉末的加工；由金属粉末制造制品；金属粉末的制造（用粉末冶金法制造合金入C22C；）；金属粉末的专用装置或设备 B22F9/00 制造金属粉末或其悬浮物；所用的专用装置或设备 B22F9/16 用化学方法〔3〕 B22F9/18 利用金属化合物的还原〔3〕 B22F9/24 从液体金属化合物开始，如溶液〔3〕	IPC分类号	B;2;2;F;9;/;2;4查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	袁松柳;田召明;王永强;何惊华
代理机构	北京市德权律师事务所	代理人	张伟

摘要

一种Mn掺杂SnO2室温稀磁半导体纳米粉的制备方法，采用化学沉淀法，其制备方法包括：A.制备氯化亚锡和乙酸锰的混合溶液以及碳酸氢铵无水乙醇溶液；B.在超声波分散和水浴条件下，将上述溶液混合；C.将上步所得溶液陈化，得到的沉淀过滤，用去离子水多次洗涤，直到溶液pH为中性为止，所得的沉淀烘箱中干燥，研磨得到原始粉体；D.将原始粉体在空气中退火处理，即得到Mn掺杂SnO2室温稀磁半导体纳米粉。本发明可以在低温下制备出具备室温铁磁性的Mn掺杂SnO2纳米粉。

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