半导体封装方法、半导体封装结构及封装体

发明专利有效专利

申请号：
CN201910982066.8
IPC分类号：H01L21/52H01L21/60H01L21/48H01L23/538
申请日期：
2019-10-16
申请人：
长鑫存储技术有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体封装方法、半导体封装结构及封装体
申请号	CN201910982066.8	申请日期	2019-10-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-16	公开/公告号	CN112670191A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/52 半导体在容器中的安装〔2〕	IPC分类号	H01L21/52;H01L21/60;H01L21/48;H01L23/538查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦6*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	刘杰;应战
代理机构	上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	孙佳胤;高翠花

摘要

本发明提供一种半导体封装方法、半导体封装结构及封装体，所述方法包括如下步骤：提供衬底晶圆，衬底晶圆具有相对设置的第一表面及第二表面，在第一表面具有多个凹槽，在凹槽底部具有多个导电柱，导电柱贯穿衬底晶圆；提供多个半导体裸片堆叠体；将半导体裸片堆叠体置于凹槽中，半导体裸片堆叠体的上表面低于或者平齐于凹槽的上边缘，半导体裸片堆叠体的底部与导电柱电连接；将盖板晶圆覆盖在衬底晶圆的第一表面，以密封凹槽，形成半导体封装结构，衬底晶圆、半导体裸片堆叠体及盖板晶圆之间的间隙未被填充物填充。本发明优点在于，形成的半导体结构具有封装高度低、可靠性高及翘曲度低的特点。

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发明授权

半导体封装方法、半导体封装结构及封装体

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