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一种非易失性存储阵列制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110003687.0
IPC分类号：H01L45/00;H01L27/24
申请日期：
2009-11-12
申请人：
中国人民解放军国防科学技术大学

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种非易失性存储阵列制备方法
申请号	CN201110003687.0	申请日期	2009-11-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-29	公开/公告号	CN102110774A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人	中国人民解放军国防科学技术大学	申请人地址	湖南省长沙市开福区德雅路109号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军国防科学技术大学	当前权利人	中国人民解放军国防科学技术大学
发明人	方粮;孙鹤;池雅庆;朱玄;仲海钦;张超
代理机构	国防科技大学专利服务中心	代理人	郭敏

摘要

本发明公开了一种非易失性存储阵列制备方法，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。技术方案是先制备下电极，接着采用氧气气氛中电子束蒸镀的方法制备存储介质层，再制备上电极，最后配置电阻开关单元的电压极性。本发明工艺简单，成本低。采用本发明制备的存储阵列开关电阻比高，容错能力高且具体有双极性，工作电流小，功耗低。

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