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微型发光二极管芯片的键合方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910521570.8
  • IPC分类号:H01L33/48;H01L33/62
  • 申请日期:
    2019-06-17
  • 申请人:
    成都辰显光电有限公司
著录项信息
专利名称微型发光二极管芯片的键合方法
申请号CN201910521570.8申请日期2019-06-17
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-01-05公开/公告号CN112186086A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/48IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分类表>
申请人成都辰显光电有限公司申请人地址
四川省成都市高新区天映路146号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都辰显光电有限公司当前权利人成都辰显光电有限公司
发明人董小彪
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司代理人朱颖;刘芳
摘要
本发明提供一种微型发光二极管芯片的键合方法,该微型发光二极管芯片的键合方法包括在每个芯片键合区的电极上形成有两个焊料管,在焊料管内填充低熔点焊料;在芯片的正极上形成正极焊料柱,在芯片的负极上形成负极焊料柱,正极焊料柱和负极焊料柱分别伸入焊料管中,并至少部分浸入低熔点焊料内;低熔点焊料凝固后使正极焊料柱和负极焊料柱分别与两个焊料管焊接在一起;移走转移头后再二次焊接相连接的正极焊料柱与焊料管、负极焊料柱与焊料管。本发明实施例提供的微型发光二极管芯片的键合方法解决了现有技术中芯片的正极和负极与背板bonding时芯片与背板容易产生热失配、翘曲以及影响转移头的使用寿命的问题。

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