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用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备及加工方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210271510.3
  • IPC分类号:B28D5/04;B28D7/02
  • 申请日期:
    2012-07-31
  • 申请人:
    昆明冶研新材料股份有限公司
著录项信息
专利名称用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备及加工方法
申请号CN201210271510.3申请日期2012-07-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-12-26公开/公告号CN102837370A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B28D5/04IPC分类号B;2;8;D;5;/;0;4;;;B;2;8;D;7;/;0;2查看分类表>
申请人昆明冶研新材料股份有限公司申请人地址
云南省曲靖经济技术开发区三江大道9号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人云南冶金云芯硅材股份有限公司当前权利人云南冶金云芯硅材股份有限公司
发明人李昆;亢若谷;马启坤;王云坤;史冰川;和金生;吕维基;罗以顺;段鑫;黄磊
代理机构昆明今威专利商标代理有限公司代理人赛晓刚
摘要
本发明涉及的一种用于制作化学气相反应沉积生长多晶硅的硅芯专用金刚石外圆切割机及其加工方法。属新能源及新材料技术领域。本发明将多晶硅棒料安装固定在金刚石外圆切割机中,同时对多根多晶硅棒料进行切割制取硅芯,先将多晶硅棒料切割成多晶硅片料,再将多晶硅片料切割成条状硅芯,切割完毕,可以同时得到多根硅芯。采用本发明提供的硅芯制备方法其生产效率明显高于其它制备方法,且在整个切割过程中,所用切割冷却液为自来水或脱盐水,不需要专门配制切割浆料,将切割冷却液经简单处理后进行循环使用,整个生产过程产生的废物仅为硅渣,不会对环境产生不利影响。

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