一种通过调节缺陷检查设备参数过滤芯片锥形缺陷的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710047058.1
IPC分类号：H01L21/66;G01N21/93;G01N21/95
申请日期：
2007-10-16
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种通过调节缺陷检查设备参数过滤芯片锥形缺陷的方法
申请号	CN200710047058.1	申请日期	2007-10-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-04-22	公开/公告号	CN101414568
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;G;0;1;N;2;1;/;9;3;;;G;0;1;N;2;1;/;9;5查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人	马利华;张书玉
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	王洁

摘要

一种通过调节缺陷检查设备参数过滤芯片锥形缺陷的方法，包括以下步骤：步骤A，在给定偏振组合的情况下，将扫描设备机器系统参数Lo的三个值调整到系统默认值和0之间；步骤B，扫描设备机台全芯片观测模式下，将选择不同区域并制图功能中的区域选定为逻辑区域，然后选用柱状图功能得到本区域三个接收器的散射动态接受强度分布图；步骤C，三个接收器的散射动态接受强度分布图上确定对应的三个峰形左面开始上升点在本分布图上横坐标的三个数值，就是Lo参数的三个值；和步骤D，使用步骤C中得到的三个Lo参数做为Lo参数值进行扫描。本发明既保证了空旷区域的锥形缺陷被成功过滤，也使得逻辑区域的杀手缺陷不会被漏检。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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