一种Y1-xYbxBCO高温超导薄膜及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010228549.8
IPC分类号：H01B12/02;H01B13/00
申请日期：
2010-07-09
申请人：
北京工业大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种Y1-xYbxBCO高温超导薄膜及其制备方法
申请号	CN201010228549.8	申请日期	2010-07-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-12-01	公开/公告号	CN101901646A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B12/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B12/00 超导或高导导体、电缆或传输线（按陶瓷形成工艺或陶瓷组合物性质区分的超导体入C04B 35/00〔2，4〕 H01B12/02 按其形状区分的〔4〕	IPC分类号	H;0;1;B;1;2;/;0;2;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	叶帅;索红莉;吴紫平;刘敏;袁慧萍;吕昭;徐燕;马麟
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	沈波

摘要

本发明公开了一种Y1-xYbxBCO高温超导薄膜及其制备方法，0＜X≤1，属于高温超导材料制备技术领域。Y1-xYbxBCO高温超导薄膜的厚度约为200nm，制备方法为：先制备Y1-xYbxBCO的前驱液，将前驱溶液涂到单晶基底上，然后在低于400℃的湿氧气中预烧得到前驱非晶膜，之后将前驱非晶膜于800-850℃下烧结1-4小时，其中前3/4的时间段内通入湿Ar/O2混合气，后1/4时间段内，通入干Ar/O2混合气；本发明方法设备简单，成本低，无需真空，沉积速度快，最重要的是薄膜成分容易控制，并可以随意改变掺杂物及其配比，更适合开发实用化的高温超导长带。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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