高临界温度超导厚膜磁通变换器

发明专利无效专利

申请号：
CN90103774.5
IPC分类号：--
申请日期：
1990-05-28
申请人：
北京有色金属研究总院

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法律信息

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著录项信息

专利名称	高临界温度超导厚膜磁通变换器
申请号	CN90103774.5	申请日期	1990-05-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1991-12-11	公开/公告号	CN1056936
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	北京有色金属研究总院	申请人地址	北京市新街口外大街2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京有色金属研究总院	当前权利人	北京有色金属研究总院
发明人	李汉青;林安中
代理机构	北京市第三专利代理事务所	代理人	陆菊华

摘要

本发明涉及与超导量子干涉器(SQUID)配用的高Tc超导厚膜磁通变换器，主要包括：衬底、高Tc超导厚膜螺旋线圈，厚膜回线和中间绝缘层，所用超导材料是y系或Bi系氧化物，衬底用ZrO，Al2O3，SrTi3O或MgO材料，中间绝缘层采用Y2BaCuO，BaCuO，ZrO，Al2O3，SrTi3O，PrBa2Cu3O或MgO材料，螺线与回线之间可以通过不同方式构成闭合回路，所述的变换器与SQUID配用可提高磁场测量灵敏度，适用于医学工程以及计量、地质、生物等技术领域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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